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Le CEA-Leti et Arkema créent une plateforme dédiée à la lithographie basée sur des polymères nano-structurés
11/05/2012
L’industrie des semi-conducteurs prévoit le doublement des performances des composants électroniques tous les 18 mois. Mais la technologie d’impression actuelle - la lithographie – est confrontée aux contraintes physiques de la miniaturisation continuelle des puces silicium. Le CEA-Leti et Arkema, en collaboration avec le LCPO (Laboratoire de Chimie des Polymères Organiques) de Bordeaux, sont parvenus à dépasser ces limites de l’infiniment petit en démontrant le potentiel de résolution unique de la lithographie basée sur des polymères nano-structurés. Ces premiers résultats répondent aux exigences des 4 prochaines générations de puces électroniques. Forts de ce succès, le CEA-Leti et Arkema créent une plateforme de développement dédiée à cette technologie.
Le CEA-Leti développe le concept LETI-3S (Silicon Specialty Solutions)
09/05/2012
Le CEA-Leti ajoute de nouvelles offres de collaborations pour ses plateformes 200mm et 300mm
Arkema et le CEA créent deux nouveaux laboratoires communs dédiés à la micro-électronique et à l’électronique organique
23/04/2012
Derniers résultats du laboratoire commun IPDiA-Leti
10/04/2012
Le Leti et IPDiA réalisent un nouveau record mondial en matière de densité de capacité.
Le CEA-Leti et IPDiA affirment avoir franchi une étape cruciale pour le développement du marché grâce à une nouvelle génération de condensateurs 3D haute-densité atteignant 550nF/mm2.
Le CEA-Leti et le Laboratoire III-V font la démonstration d’un émetteur photonique sur silicium entièrement intégré
04/03/2012
Un émetteur incorporant un laser hybride accordable sur silicium
Le CEA-Leti et le Laboratoire III-V, laboratoire commun à Alcatel-Lucent Bell Labs France, à Thales Research and Technology et au CEA-Leti, annoncent avoir fait la démonstration d’un émetteur accordable intégré sur silicium. Pour la première fois, une source laser accordable a été intégrée sur du silicium, ce qui représente une étape majeure en direction d’émetteurs/récepteurs entièrement intégrés.
L’équipe du projet européen HELIOS atteint de nouveaux sommets en faisant la démonstration de modulateurs électro-optiques à grande vitesse améliorés par la lumière lente
23/02/2012
Le CEA-Leti, qui coordonne le projet européen HELIOS visant à accélérer la commercialisation de la photonique silicium, dévoile un modulateur optique de 40 Gb/s en silicium avec un taux d’extinction record de 10 dB, développé par les membres du projet HELIOS. Dans le but de faire progresser cette technique de pointe, un modulateur optique à ultra grande vitesse amélioré par la propagation de la « lumière lente » a fait l’objet d’une démonstration. L’expression « propagation de la lumière lente » est utilisée lorsque la lumière se déplace bien plus lentement dans un modulateur que dans l’air ou le vide.
Une nouvelle offre globale qui propose conception, plans et packaging sur les plateformes du Leti
06/02/2012
L’Alliance pour la technologie hétérogène européenne a développé et testé une technologie d’encapsulation pour MEMS utilisée lors de missions spatiales
05/01/2012
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